場效電晶體和可控矽之間的區別,三極體,場效電晶體,可控矽如何區別

時間 2022-01-09 13:20:07

1樓:哪的流浪者

1、微件不同:

場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於可控矽的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2、放大係數:

場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;可控矽是電流控制電流器件,由ib(或ie)控制ic。

3、輸入電阻:

場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而可控矽工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比可控矽的輸入電阻高。

4、效能不同:

場效電晶體只有多子參與導電;可控矽有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。

2樓:最愛阿斯蒂芬風

場效電晶體 vs 三極體

1.微件不同:

場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2.放大係數:

場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由ib(或ie)控制ic。

3.輸入電阻:

場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4.效能不同:

場效電晶體只有多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。

5.特性差異:

場效電晶體在源極水與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,b值將減小很多。

6.噪聲係數:

場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。

7.製造工藝:

場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開路電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。

可控矽 vs (三極體/場效電晶體)

1、工作電路不同:

可控矽可以工作在直流電路中,也可以工作在在交流電路中。不過當它用在直流電路中時,一旦觸發,即便觸發電壓消失了,只有陽陰極間電壓存在,它就仍然處於導通狀態。

三極體必須用在直流供電的電路中,這是它的特性決定的。他可以處於放大狀態,用於類比電路中。也可以僅處於飽和導通和截止兩種狀態,用於開關電路或數位電路中。

2、pn結不同:

可控矽,陽極與陰極間有兩隻反向pn結,用表測量電阻極大;只有門極與陰極是pn結,正反間電阻相差很大;只要電極間符合這個現象的,那就是可控矽了。

三極體,基極對其它兩極都是一個pn結,當你用表迴圈測量到某個電極對其它兩極都能呈現出低阻或高阻時,那麼基本可以斷定這是三極體

3樓:匿名使用者

首先從結構上,一個是4層結構,一個是3層結構,這個可能不是很直觀

那麼在應用上,場效應關你開關都是通過g級來開關的,比如g級維持高電平則導通,低電平則截止。而可控矽不一樣,一般來說,可控矽g級只負責控制開,至於關是自動的,也就是說g控制導通後他就不管了,截止是a k電流為零,自動截止

4樓:匿名使用者

可控矽 vs (三極體 /場效電晶體)

可控矽是一種特殊的二極體,是可控矽整流元件的簡稱。是一種具有三個pn 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩閘流體反向連線而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。

可控矽二極體可用兩個不同極性(p-n-p和n-p-n)電晶體來模擬。當可控矽的柵極懸空時,bg1和bg2都處於截止狀態,此時電路基本上沒有電流流過負載電阻rl,當柵極輸入一個正脈衝電壓時bg2道通,使bg1的基極電位下降,bg1因此開始道通,bg1的道通使得bg2的基極電位進一步升高,bg1的基極電位進一步下降,經過這一個正反饋過程使bg1和bg2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態,這時柵極就算沒有觸發脈衝電路由於正反饋的作用將保持道通狀態不變。

如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,由於bg1和bg2均處於反向偏置狀態所以電路很快截止,另外如果加大負載電阻rl的阻值使電路電流減少bg1和bg2的基電流也將減少,當減少到某一個值時由於電路的正反饋作用,電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態,我們稱這個電流為維持電流。在實際應用中,我們可通過一個開關來短路可控矽的陽極和陰極從而達到可控矽的關斷。

場效電晶體 vs 三極體

1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由ib(或ie)控制ic。

3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4.場效電晶體只有多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。

5.場效電晶體在源極水與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,b值將減小很多。

6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。

7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開路電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。

三極體,場效電晶體,可控矽如何區別

5樓:出津鮑逸美

三極體是全控的,可以用小電流控制輸出的電流大小。

可控矽只能控制通斷,可控矽接通後不能自動截斷,必須有個負電壓才能截斷。

場效電晶體不太清楚,這是網上的資料:

場效電晶體與三極體的各自應用特點

1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由ib(或ie)控制ic。

場效電晶體

3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的柵極輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4.場效電晶體是由多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。

5.場效電晶體在源極金屬與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,β值將減小很多。

6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。

7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開關電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。

8.三極體導通電阻大,場效電晶體導通電阻小,只有幾百毫歐姆,在現用電器件上,一般都用場效電晶體做開關來用,他的效率是比較高的。

6樓:八維教育

場效電晶體 vs 三極體

1.場效電晶體的源極s、柵極g、漏極d分別對應於三極體的發射極e、基極b、集電極c,它們的作用相似。

2.場效電晶體是電壓控制電流器件,由vgs控制id,其放大係數gm一般較小,因此場效電晶體的放大能力較差;三極體是電流控制電流器件,由ib(或ie)控制ic。

3.場效電晶體柵極幾乎不取電流(ig»0);而三極體工作時基極總要吸取一定的電流。因此場效電晶體的輸入電阻比三極體的輸入電阻高。

4.場效電晶體只有多子參與導電;三極體有多子和少子兩種載流子參與導電,而少子濃度受溫度、輻射等因素影響較大,因而場效電晶體比電晶體的溫度穩定性好、抗輻射能力強。在環境條件(溫度等)變化很大的情況下應選用場效電晶體。

5.場效電晶體在源極水與襯底連在一起時,源極和漏極可以互換使用,且特性變化不大;而三極體的集電極與發射極互換使用時,其特性差異很大,b值將減小很多。

6.場效電晶體的噪聲係數很小,在低噪聲放大電路的輸入級及要求訊雜比較高的電路中要選用場效電晶體。

7.場效電晶體和三極體均可組成各種放大電路和開路電路,但由於前者製造工藝簡單,且具有耗電少,熱穩定性好,工作電源電壓範圍寬等優點,因而被廣泛用於大規模和超大規模積體電路中。

可控矽 vs (三極體 /場效電晶體)

可控矽是一種特殊的二極體,是可控矽整流元件的簡稱。是一種具有三個pn 結的四層結構的大功率半導體器件,一般由兩閘流體反向連線而成.它的功用不僅是整流,還可以用作無觸點開關以快速接通或切斷電路,實現將直流電變成交流電的逆變,將一種頻率的交流電變成另一種頻率的交流電等等。

可控矽二極體可用兩個不同極性(p-n-p和n-p-n)電晶體來模擬。當可控矽的柵極懸空時,bg1和bg2都處於截止狀態,此時電路基本上沒有電流流過負載電阻rl,當柵極輸入一個正脈衝電壓時bg2道通,使bg1的基極電位下降,bg1因此開始道通,bg1的道通使得bg2的基極電位進一步升高,bg1的基極電位進一步下降,經過這一個正反饋過程使bg1和bg2進入飽和道通狀態。電路很快從截止狀態進入道通狀態,這時柵極就算沒有觸發脈衝電路由於正反饋的作用將保持道通狀態不變。

如果此時在陽極和陰極加上反向電壓,由於bg1和bg2均處於反向偏置狀態所以電路很快截止,另外如果加大負載電阻rl的阻值使電路電流減少bg1和bg2的基電流也將減少,當減少到某一個值時由於電路的正反饋作用,電路將很快從道通狀態翻轉為截止狀態,我們稱這個電流為維持電流。在實際應用中,我們可通過一個開關來短路可控矽的陽極和陰極從而達到可控矽的關斷。

可控矽三極體怎麼區別啊,三極體與可控矽怎麼區分?

阿牛哥歡迎你 樓上回答好詳細咯。用萬用表測量時,三極體可以測量到兩個pn結,即有個腳 基極 與其他兩個腳 發射極,集電極 會正向導通,反正截止。而可控矽沒有。 scr可控矽 就是兩個三極體,這下可以看懂了吧 就是三極體的導通和截止。 三極體工作原理 當發射極和集電極之間的電壓處於在放大區內時,較小的...

三極體與可控矽有啥區別呢,可控矽和三極體有什麼區別?

手機使用者 三極體是統稱,可控矽也是三極體的一類,可控矽即開關管,作開關用,可控矽可以隨意控制斷,故稱可控,還有閘流體是半控器件,即可以控制通,但不能斷,只有斷電才行。此外聲效應管也是三極體的一類,但是它既可以作開關管也可作放大管。但場效電晶體和一般的放大三極體區別在於一個電流控制 一個電壓控制 手...

三極體與可控矽怎麼區分,可控矽和三極體有什麼區別

先假設三極體的某極為 基極 將黑表筆接在假設基極上,再將紅表筆依次接到其餘兩個電極上,若兩次測得的電阻都大 約幾k到幾十k 或者都小 幾百至幾k 對換表筆重複上述測量,若測得兩個阻值相反 都很小或都很大 則可確定假設的基極是正確的,否則另假設一極為 基極 重複上述測試,以確定基極.當基極確定後,將黑...