1樓：匿名使用者
mosfet是指場效電晶體，它也是一種電晶體，它在任何地方使用或者放在倉庫裡躺著，都叫「場效電晶體」可見它的名稱是固定的。也有許多電源根本不用場效電晶體，而用普通大功率電晶體。
場效應電晶體與一般電晶體有所不同，它開關特性好，耐壓高，更多用在開關電路中，象電腦用的電源；而電晶體更多用在放大電路中，當然，場效電晶體也有用在放大電路中的，電晶體也有用在開關電路中的。
2樓：匿名使用者
電晶體一般指雙極性管，為了區分兩管子，所以後者叫mos管
3樓：潘海青
電晶體是二極體、三極體、場效電晶體、閘流體等的統稱，mosfet是場效電晶體
4樓：盼蘭八
不一樣.
電晶體是半導體元器件的一種統稱,主要分兩大類:三極體和場效電晶體;
三極體可分兩類: npn型和pnp型;
場效電晶體可分兩類: 結型場效電晶體和絕緣柵型場效電晶體;
其中絕緣柵型場效電晶體又叫金屬--氧化物半導體場效電晶體,簡稱mos場效電晶體即mosfet;
綜上所述: mosfet只是電晶體中的一種,mosfet和電晶體是從屬關係
為什麼開關電源的開關管一般是用mos管而不晶體三極體
5樓：匿名使用者
1，mos管損耗比三極體小
2，mos管為電壓驅動型，驅動電路比較簡單，三極體為電流驅動型
3，mos管的溫度特性要比三極體好
6樓：華工壞師兄
如一樓所說，原因是bjt是電流控制
器件，mos是電壓控制器件。bjt需要較大的控制電流，很多時候需要逐級放大，而mos的柵極電流很小，幾乎可以忽略；由於這個原因，再加上mos飽和時導通溝道產生的壓降比bjt飽和壓降低，所以耗散功率更小，效率也就更高。
所以一般的功率開關管都會選擇mos而不是bjt。但是mos的柵電容決定了它的開關速度，同樣用途的管子，一般bjt能夠達到更高的速度。
7樓：
mos管比三
極管最大的優點是所需的驅動功率小。mos是電壓驅動，三極體是電流驅動。
用mos管做電源驅動管，只需要一個驅動電壓訊號就能控制很大的電源電流（幾安培到幾十安培），控制很方便的；如果用三極體，需要有幾級推動電路，把控制電流逐步加大，還得考慮三極體的放大倍數，很繁瑣。不只開關電源，線性電源也一樣。例如最經典的穩壓電路中，電源管是3dd系列，3dd需要3dg12之類的中功率管驅動，3dg12再由3dg6之類的小功率管驅動........
線路比較複雜，除錯也費勁。
8樓：匿名使用者
mos的輸入阻抗接近無窮，用作開關靜態的時候漏電小，功耗小，可靠。三極體靠基極電流驅動，這個電流產生額外的功耗。理想的開關電路就是通電和斷電狀態，通斷兩個穩態，尤其是斷開狀態是不應該產生功耗的，這點mos更理想。
9樓：匿名使用者
電壓驅動器件，輸出電流大，發熱小
在電子技術中：論電流方向來說n溝道mos管與pnp電晶體這種流向是不是一樣的？
10樓：匿名使用者
理想的mos管，不管nmos還是pmos，溝道開啟的時候，電流可從源到漏，也可從漏到源。但是實際的mos管，由於製造工藝的原因，在矽底層擴散形成結的時候會同時形成一個寄生二極體。由於這個寄生二極體的存在，當溝道關閉後，mos管源漏之間仍然能夠單向導電。
因此，為了讓mos管正常工作，必須保證該寄生二極體處於反偏。具體來說，對於nmos，寄生二極體方向是從源到漏，因此電路上電流應該從漏到源，即漏極電位高於源極才能正常工作；而pmos則相反。可簡單歸納為「n正驅（柵極電位高於矽基底）反通（漏極高於源極），p反驅正通」
11樓：匿名使用者
一般來說，場管的g相當於
三極體的b，d相當於c，s相當於e，n溝道相當於npn，p溝道相當於pnp，這樣電流流向就可以參考三極體的了。但實際很多場管電流可以從d流到s，也可從s流到d，例如同步整流的降壓式變換器，高階的nmos就是d流向s，而低端的nmos卻是s流向d的。三極體則沒有這種用法。
12樓：匿名使用者
有可比性嗎，n溝道mos管是在漏源之間加正電壓，在柵源之間也加正電壓。pnp電晶體 的電流方向是發射極流向集電極。
13樓：匿名使用者
雖然忘了一些，不過場效電晶體是電壓元件吧，用同樣的電路可能不行吧，輸出的電流會變得吧
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