1樓：白光死
如下圖：
場效電晶體：場效應電晶體（field effect transistor縮寫(fet)）簡稱場效電晶體。由多數載流子參與導電，也稱為單極型電晶體。
它屬於電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（10^7～10^12ω）、噪聲小、功耗低、動態範圍大、易於整合、沒有二次擊穿現象、安全工作區域寬等優點，現已成為雙極型電晶體和功率電晶體的強大競爭者。[1]儘管由於半導體材料的限制，以及曾經雙極性電晶體比場效應電晶體容易製造，場效應電晶體比雙極性電晶體要晚造出，但場效應電晶體的概念卻比雙極性電晶體早。
2樓：音響帝國**
場效電晶體放大電路，有電壓放大電路，也有電流放大電路，用場效電晶體進行電流放大最理想。
場效電晶體放大電路
3樓：匿名使用者
不可以.場效電晶體允許通過的電流比電晶體要小很多,功率不大,不能用作功放管.就是電晶體也要接成互補或推輓結構才能用作功放管.
你也可以考慮用整合功率放大器,這個也不貴,而且效能好,電路更簡單as6787說的:
可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果功率放大常用的是igbt和vmos,igbt是場效電晶體和電晶體結合的另一種元件,和普通場效電晶體不同;而vmos(常用於電力電子)的工藝也較特殊,雖都叫場效電晶體但都不是一般的場效電晶體,你從電子元件商店不好買到的
最好還是考慮整合器件,我做過音訊,用tda2131就可以滿足一般的需求
4樓：匿名使用者
您好！v-mos場效應電晶體作為高保真音訊放大器的特點有：高阻輸入、低阻輸出、輸出電流大、與電子管相似的音聲、低噪聲、增益高、動態大等。
作前置的有：irf9510、irf510
作功率的有：irf132、irf9130
**未能上傳，如有需要請付上郵箱號。
5樓：
可以,高極功放都是用功率場效電晶體,有電子管功放的效果
6樓：心要飛難留
當然可以,根據你的問題你還是對電晶體還不是很瞭解,樓上的說的對,你還是用整合塊吧.如tda2030.lm1875.tda7294等.
場效電晶體放大電路設計
7樓：匿名使用者
1、測量場效電晶體輸入電阻時，應考慮哪些因素。
da）由於場效電晶體輸入電阻較高，一般可達10m以上，所以在測量時一定要使用高內阻表測量，注意預防靜電擊穿柵極，並要注意對外界訊號隔離，以防感應訊號的寄生在測量回路中，影響測量。
2、為什麼場效電晶體輸入端的耦合電容一般只要0。02uf左右？
da）耦合電容的大小是和輸出、輸入電阻有關，因為場效電晶體的輸入電阻高，所以一般使用到0.01-0.02uf就夠了（這和50年代的電子管很象）
3、為什麼場效電晶體放大器放大倍數一般沒有電晶體的電壓放大倍數大？
da）一般的三極體是屬於電流型的放大器件，所以是使用的是hfe（β）是電流控制電流的單位，而場效電晶體是屬於電壓型的放大器件，它使用的指標是gm（跨導）是電壓控制電流的單位。
8樓：匿名使用者
因為輸入內部電阻很大，小電容就可以了，要防止靜電，高壓電，損壞器件
9樓：音響帝國**
這個電路是一個理想的功放
10樓：匿名使用者
1，測量場效電晶體輸入阻抗的時候， 使用較高輸入阻抗的裝置，不然會誤測，因為一般測量阻抗會並聯裝置到線路中。
2，0.02uf 則要取決線路的應用， 沒有固定或是一般什麼的，你看到的可能正好頻率特性而採用之
3，場效電晶體是跨導gm ,如果跨導越大，輸入電容就越大，因而高頻效能就變差。流過柵極的電流變大（輸入阻抗變低），等缺點。 所以場效電晶體一般跨導做得不會很大，故比三極體的放大倍數要低
只有5分哦，下回爽快點哦
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