1樓：好人來了
蒸發鍍膜順利進行的兩個條件是，蒸發過程中的真空條件和鍍膜過程中的蒸發條件。
相關資訊。1、真空蒸發鍍膜從物料蒸發輸運到沉積成膜的物理過程為，用各種能源方式轉換成熱能，加熱膜材使之蒸發或昇華，成為具有一定能量的氣態粒子。離子膜材表面，具有相當運動速度的氣態粒子以基本上無碰撞的直線飛行輸運到基片表面。
到達基片表面的氣態粒子凝聚形核後生長成固相薄膜。
2、真空條件下物質的蒸發特點。膜材加熱到一定溫度時就會發生氣休現象，即由固相或液相進入到氣相。在真空條件下物質的蒸發比在常壓下容易得多，所需的蒸發溫度也大幅度下降。
因此熔化蒸發過程縮短，蒸發效率明顯地提高。
3、在一定溫度下，真空室中蒸發材料的蒸發在固相或液相分子平衡狀態下所呈現在壓力為飽和蒸氣壓。
在飽和平衡狀態下，分子不斷地從冷凝液相或固相表面蒸發。同時有相同數量的分子與冷凝液相或固相表面相碰撞而返回到冷凝液相或固相中。
2樓：江西國材科技****
蒸發鍍膜需要在真空環境下進行，其順利進行的兩個重要條件如下：
1. 真空度： 蒸發鍍膜需要在充分低的壓力下進行，一般要求真空度在10^-4 pa左右，以至於材料在蒸發過程中不受氧化或與其他氣體反應影響。
2. 加熱源：為了讓材料蒸發成氣態，需要在材料上方提供加熱源，使材料達到高溫，並轉換成水蒸氣。
通常採用電子束、雷射等方式對固體材料進行加熱，使其逐漸蒸發成氣態，符合物質沉積形成薄膜的需求。
除此之外，蒸發鍍膜還需要嚴密的反射系統、材料**系統和真空抽氣系統來保證生產過程中的穩定性和準確性。加熱源和真空狀態是成功製備高質量薄膜的基本條件，也是影響薄膜質量和製備效率的關鍵因素。
蒸發鍍膜原理
3樓：舞僥評
1、蒸發鍍膜：通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於1857年搭山提出，腔枝族現代已成為常用鍍膜技術之一。
2、蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質伍弊和不易熱分解的化合物膜。為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。
蒸發鍍膜和濺射鍍膜有什麼區別
4樓：吉祥學長
蒸發鍍膜和磁探濺射鍍膜的特點如下：一、對於蒸發鍍膜一般是加熱靶材使表面組分以原子團或離子形式被蒸發出來，並且沉降在基片表面，通過成膜過程（散點－島狀結構-迷走結構-層狀生長）形成薄膜。1、厚度均勻性主要取決於：
a.基片材料與靶材的晶格匹配程度；b.基片表面溫度；c.
蒸發功率、速率；d.真空度；e.鍍膜時間、厚度大小。
2、組分均勻性：蒸發鍍膜組分均勻性不是很容易保證，具體可以調控的因素同上，但是由於原理所限，對於非單一組分鍍膜，蒸發鍍膜的組分均勻性不好。3、晶向均勻性：
1．晶格匹配度2．基片溫度3．蒸發速率二。濺射類鍍膜可以簡單理解為利用電子或高能雷射轟擊靶材，並使表面組分以原子團或離子形式被濺射出來，並且最終沉積在基片表面，經歷成膜過程，最終形成薄膜。
磁控濺射鍍膜又分為很多種，總體看，與蒸發鍍膜的不同點在於濺射速率將成為主要引數之一。濺射鍍膜中的雷射濺射鍍膜pld，組分均勻性容易保持，而原子尺度的厚度均勻性相對較差（因為是脈衝濺射），晶向（外沿）生長的控制也比較一般。
蒸發鍍膜可以採用的蒸發源有哪些型別？
5樓：小孟老師生活方式
蒸發鍍膜是一種常用的薄膜製備技術，使用蒸發源將材料加熱至蒸發溫度，然後通鏈慎過蒸發的材料沉積在基材表面形成薄膜。以下是幾種常見的蒸發源型別：
電子束蒸發源（electron beam evaporation source）：利用電子束將材料加熱至蒸發溫度，然後蒸發在基材上。電子束蒸發源具有高溫度和高速度的優勢，適用於多顫羨種材料的蒸發。
熱阻蒸發源（resistance heating evaporation source）：通過通電使蒸發源中的阻焊絲加熱，將材料蒸發在基材上。熱阻蒸發源棚洞敬適用於多種材料，且操作相對簡單。
濺射蒸發源（sputtering evaporation source）：結合了濺射和蒸發的特點。利用離子轟擊的方式將材料蒸發在基材上。
濺射蒸發源適用於多種材料，且能夠實現更高的薄膜均勻性和複雜的形狀。
氣體傳輸蒸發源（gas transport evaporation source）：通過將材料置於高溫的蒸發船中，利用氣體載體將材料蒸發沉積在基材上。氣體傳輸蒸發源適用於高熔點材料或對材料要求較高的應用。
這些蒸發源的選擇取決於所需薄膜材料、薄膜性質要求、裝置和工藝引數等因素。不同的蒸發源在材料選擇、蒸發速率、均勻性等方面可能有不同的優劣勢。
6樓：北京研諾信誠
鍍膜行業中可以應用蒸發的方式實現薄膜沉積。利用這種薄膜沉積方法，將用於沉積的源材料在真空中蒸發，蒸汽粒子即可以自由地移動到基材的表面。在到達基材襯底時，蒸發的材料沉降並凝結回固態，在基材上形成薄膜。
不同蒸發源的種類。
用於製造蒸發源的材料通常具有高熔點和低蒸氣壓。
燈薯敬絲。燈絲材質為鎢、鉬、鉭等高熔點金屬，一般將蒸發物質掛或放置在燈絲上，在真空中使大電流通過包含蒸發材料的燈絲，這些材料將被加熱辯塌到它們的熔點最終使其蒸發。攜手圓。
坩堝。用於蒸發薄膜沉積的坩堝由耐高溫材料製成，其材質包括鎢、鉬、鉭、及耐高溫的氧化鋁、石墨或氮化硼。通常，製造商需要根據要蒸發的材料來選擇不同的坩堝。
蒸發舟。蒸發舟是真空蒸發鋁材料的最佳熱蒸發源。通常舟形蒸發源是採用鎢材料製造的，現在蒸發舟亦由可導電的高效能陶瓷複合材料製成，使用的主要原材料是氮化硼和二硼化鈦，蒸發面可開槽或進行雷射表面刻蝕，其效能可靠，蒸發率精確且使用壽命長。
真空蒸發鍍膜和濺射鍍膜的比較
7樓：
濺射鍍膜就是用荷能離子轟擊靶材，使靶材表面的一些原子逸出，逸出的原子沉積在靶材附近的固體表面形成薄膜。蒸發鍍膜就是將物質加熱，達到熔點，再達到沸點，蒸發至基片上。1、濺射技術與真空蒸發技術有所不同。
濺射」是指荷能粒子轟擊固體表面（靶），使固體原子或分子從表面射出的現象。射出的粒子大多呈原子狀態，高核雀常稱為濺射原子。用於轟擊靶的濺射粒子可以是電子，離子或中性粒子，因為離子在電場下易於加速獲得所需要動能，因此大都採用離子作為戚早轟擊粒子。
2、濺射過程建立在輝光放電的基礎上，即濺射離子都**於氣體放電。不同的濺射技術所採用氏銀的輝光放電方式有所不同。直流二極濺射利用的是直流輝光放電；三極濺射是利用熱陰極支援的輝光放電；射頻濺射是利用射頻輝光放電；磁控濺射是利用環狀磁場控制下的輝光放電。
3、濺射鍍膜與真空蒸發鍍膜相比，有許多優點。如任何物質均可以濺射，尤其是高熔點，低蒸氣壓的元素和化合物；濺射膜與基板之間的附著性好；薄膜密度高；膜厚可控制和重複性好等。缺點是裝置比較複雜，需要高壓裝置。
蒸發鍍膜可以採用哪幾種蒸發源？各有哪些優缺點
8樓：網友
電阻蒸發鍍：電阻蒸發源用於蒸發低熔點材料，如金、銀、硫化鋅、氟化鎂、三氧化二鉻等。電阻蒸發源一般採用鎢、鉬、鉭製作。
2.電子束蒸發鍍：利用電子束加熱使膜材汽化蒸發後，凝結在基片表面成膜是真空蒸鍍技術中一種重要的加熱方法。
這種裝置的種類很多。隨著薄膜技術的廣泛應用，不但對膜的種類要求繁多，而且對膜的質量要求更加嚴格。電阻蒸發鍍已不能滿足蒸鍍某些金屬和非金屬的需要。
電子束熱源能獲得遠比電阻熱源更大的能量密度，數值可達到104-109w/cm2，因此可以將膜材加熱至3000-6000c。這就為蒸發難熔金屬和非金屬材料如鎢、鉬、鍺、sio2、ai2o3等提供了較好的熱源。而且由於被蒸鍍的材料是放在水冷坩堝內，因而可避免容器材料的蒸發及容器材料與膜材之間的反應，這對提高膜的純度是極為重要的。
另外，熱量可直接加到膜材表面上，因此熱效率高，熱傳導和熱輻射損失少。
感應加熱蒸發源的特點：1）蒸發速率大 2）蒸發源溫度均勻穩定，不易產生鋁滴飛濺現象 3）蒸發源一次裝料，無須送絲，溫度控制比較容易，操作簡單 4）對膜材純度要求略寬些。
4.電弧加熱蒸發鍍：與電子束加熱方式相類似的一種加熱方式是電弧放電加熱法。
它也具有可以避免電阻加熱材料或坩堝材料的汙染，加熱溫度較高的特點，特別適用 於熔點高，同時具有一定導電性的難熔金屬、石墨等的蒸發。同時，這一方法所用的裝置比電子束加熱裝置簡單，因而是一種較為廉價的蒸發裝置。
真空鍍膜中對蒸發源的材料要求有哪些?
9樓：北京中諾新材
通常對蒸發源應考慮蒸發源的材料和形狀，一般對蒸發源材料的要求是：
1.熔點高。
因為蒸發材料的蒸發溫度(平衡蒸汽壓為的溫度)多數在1000~2000℃之間，因此，蒸發源材料的熔點應高於此溫度。
2.平衡蒸汽壓低。
主要是防止或減少高溫下蒸發源材料隨蒸發材料蒸發而成為雜質，進入蒸鍍膜層中。只有在蒸發源材料的平衡氣配毀壓足夠低時，才能保證在蒸發時具有最小的自蒸發量，才不致影響系統真空度和汙染膜層，為了使蒸發源材料所蒸發的數量非常少，在選擇蒸發溫度、蒸發源材料時，應使材料的蒸發溫度低於蒸發源材料，在平衡氣壓為時的製備高質量的薄膜可採用與所對應的溫度。
3.化學效能穩定。
在高溫下不應與蒸發材料發生化學反應。在高溫下某些蒸發源材料，與蒸發材料之間會產生反應及擴散而形成化合物和合金。特別是形成低共熔點合金蒸發源容易燒斷。
例如襪遊在高溫時鉭和金會形成告賣銷合金，鋁、鐵、鎳、鈷也會與鎢、鉬、鉭等蒸發源材料形成合金。鎢還能與水或氧發生反應，形成揮發性的氧化物如wo、wo2或wo3;鉬也能與水或氧反應而形成揮發性moo3等。因此，應選擇不會與鍍膜材料發生反應或形成合金的材料做該材料的蒸發源材料。
作為蒸發源的材料必須具備熔點高、揮發低、高溫冷卻後脆性小等性質。常用的線狀蒸發源應能與蒸發金屬相潤溼，熔點遠遠大於待鍍金屬的蒸發溫度，不與待鍍金屬發生反應生成合金。
真空鍍膜的蒸發鍍膜
10樓：不丟人的凜冬
通過加熱蒸發某種物質使其沉積在固體表面，稱為蒸發鍍膜。這種方法最早由m.法拉第於1857年提出，現代已成為常用鍍膜技術之一。蒸發鍍膜裝置結構如圖1。
蒸發物質如金屬、化合物等置於坩堝內或掛在熱絲上作為蒸發源，待鍍工件，如金屬、陶瓷、塑料等基片置於坩堝前方。待系統抽至高真空後，加熱坩堝使其中的物質蒸發。蒸發物質的原子或分子以冷凝方式沉積在基片表面。
薄膜厚度可由數百埃至數微公尺。膜厚決定於蒸發源的蒸發速率和時間（或決定於裝料量），並與源和基片的距離有關。對於大面積鍍膜，常採用旋轉基片或多蒸發源的方式以保證膜層厚度的均勻性。
從蒸發源到基片的距離應小於蒸氣分子在殘餘氣體中的平均自由程，以免蒸氣分子與殘氣分子碰撞引起化學作用。蒸氣分子平均動能約為電子伏。
蒸發源有三種型別。①電阻加熱源：用難熔金屬如鎢、鉭製成舟箔或絲狀，通以電流，加熱在它上方的或置於坩堝中的蒸發物質（圖1[蒸發鍍膜裝置示意圖]）電阻加熱源主要用於蒸發cd、pb、ag、al、cu、cr、au、ni等材料；②高頻感應加熱源：
用高頻感應電流加熱坩堝和蒸發物質；③電子束加熱源：適用於蒸發溫度較高（不低於2000[618-1]）的材料，即用電子束轟擊材料使其蒸發。
蒸發鍍膜與其他真空鍍膜方法相比，具有較高的沉積速率，可鍍制單質和不易熱分解的化合物膜。
為沉積高純單晶膜層，可採用分子束外延方法。生長摻雜的gaalas單晶層的分子束外延裝置如圖2[ 分子束外延裝置示意圖]。噴射爐中裝有分子束源，在超高真空下當它被加熱到一定溫度時，爐中元素以束狀分子流射向基片。
基片被加熱到一定溫度，沉積在基片上的分子可以徙動，按基片晶格次序生長結晶用分子束外延法可獲得所需化學計量比的高純化合物單晶膜，薄膜最慢生長速度可控制在1單層/秒。通過控制擋板，可精確地做出所需成分和結構的單晶薄膜。分子束外延法廣泛用於製造各種光整合器件和各種超晶格結構薄膜。
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