cpu是怎麼做出來的

時間 2022-01-22 01:25:07

1樓:大大的

cpu的製作過程:

矽片製備:所謂矽片製備是將矽從砂中提煉並純化,然後是經過一系列特殊工藝產出適當直徑的矽錠,然後再將矽錠切割成薄片。

矽片製造:這是微晶片製作的第二個階段,裸露的矽片到達矽片廠,經過的清洗、成膜、光刻、摻雜等步驟。

矽片的測試/撿選:矽片製造完成後,要對每個晶片進行探測和電學測試,分出合格和不合格的的晶片。把有缺陷的晶片坐上標記,防止把有問題的晶片送給客戶。

裝配與封裝:測試合格後的晶片,進行裝配和封裝的步驟,也就是把單個的晶片包裝在保護殼內。

終測:這是晶片包裝送給客戶的最後一個工序,為了確保晶片的功能,要對每一個晶片進行積體電路測試,以滿足各種引數和使用環境的要求。終測合格後,晶片被髮送到使用者手中。

cpu組成結構:

cpu包括運算邏輯部件、暫存器部件,運算器和控制部件等。

運算邏輯部件

運算邏輯部件,可以執行定點或浮點算術運算操作、移位操作以及邏輯操作,也可執行地址運算和轉換。

暫存器部件

暫存器部件,包括通用暫存器、專用暫存器和控制暫存器。

通用暫存器又可分定點數和浮點數兩類,它們用來儲存指令中的暫存器運算元和操作結果。

通用暫存器是**處理器的重要組成部分,大多數指令都要訪問到通用暫存器。通用暫存器的寬度決定計算機內部的資料通路寬度,其埠數目往往可影響內部操作的並行性。

專用暫存器是為了執行一些特殊操作所需用的暫存器。

控制暫存器通常用來指示機器執行的狀態,或者保持某些指標,有處理狀態暫存器、地址轉換目錄的基地址暫存器、特權狀態暫存器、條件碼暫存器、處理異常事故暫存器以及檢錯暫存器等。

有的時候,**處理器中還有一些快取,用來暫時存放一些資料指令,快取越大,說明cpu的運算速度越快,目前市場上的中高階**處理器都有2m左右的二級快取,高階**處理器有4m左右的二級快取。

控制部件

控制部件,主要負責對指令譯碼,並且發出為完成每條指令所要執行的各個操作的控制訊號。

其結構有兩種:一種是以微儲存為核心的微程式控制方式;一種是以邏輯硬佈線結構為主的控制方式。

微儲存中保持微碼,每一個微碼對應於一個最基本的微操作,又稱微指令;各條指令是由不同序列的微碼組成,這種微碼序列構成微程式。**處理器在對指令譯碼以後,即發出一定時序的控制訊號,按給定序列的順序以微週期為節拍執行由這些微碼確定的若干個微操作,即可完成某條指令的執行。

簡單指令是由(3~5)個微操作組成,複雜指令則要由幾十個微操作甚至幾百個微操作組成。

2樓:it風雲說

cpu到底是怎麼工作的?帶你瞭解這背後的玄機

3樓:樂跑小子

從沙子到cpu製作全過程

現在市場上產品豐富,琳琅滿目,當你使用著配置了最**cpu的電腦在網際網路上縱橫馳騁,在各種程式應用之間操作自如的時候,有沒有興趣去想一想這個頭不大、功能不小的cpu是怎麼製作出來的呢。在今天的半導體製造業中,計算機**處理器無疑是受關注程度最高的領域,而這個領域中眾所周知的兩大巨頭,其所遵循的處理器架構均為x86,而另外一家號稱資訊產業的藍色巨人的ibm,也擁有強大的處理器設計與製造能力,它們最先發明瞭應變矽技術,並在90奈米的處理器製造工藝上走在最前列。在今天的文章中,我們將一步一步的為您講述**處理器從一堆沙子到一個功能強大的積體電路晶片的全過程。

製造cpu的基本原料

如果問及cpu的原料是什麼,大家都會輕而易舉的給出答案—是矽。這是不假,但矽又來自**呢?其實就是那些最不起眼的沙子。

難以想象吧,**昂貴,結構複雜,功能強大,充滿著神祕感的cpu竟然來自那根本一文不值的沙子。當然這中間必然要經歷一個複雜的製造過程才行。不過不是隨便抓一把沙子就可以做原料的,一定要精挑細選,從中提取出最最純淨的矽原料才行。

試想一下,如果用那最最廉價而又儲量充足的原料做成cpu,那麼成品的質量會怎樣,你還能用上像現在這樣高效能的處理器嗎?

除去矽之外,製造cpu還需要一種重要的材料就是金屬。目前為止,鋁已經成為製作處理器內部配件的主要金屬材料,而銅則逐漸被淘汰,這是有一些原因的,在目前的cpu工作電壓下,鋁的電遷移特性要明顯好於銅。所謂電遷移問題,就是指當大量電子流過一段導體時,導體物質原子受電子撞擊而離開原有位置,留下空位,空位過多則會導致導體連線斷開,而離開原位的原子停留在其它位置,會造成其它地方的短路從而影響晶片的邏輯功能,進而導致晶片無法使用。

這就是許多northwood pentium 4換上snds(北木暴畢綜合症)的原因,當發燒友們第一次給northwood pentium 4超頻就急於求成,大幅提高晶片電壓時,嚴重的電遷移問題導致了cpu的癱瘓。這就是intel首次嘗試銅互連技術的經歷,它顯然需要一些改進。不過另一方面講,應用銅互連技術可以減小晶片面積,同時由於銅導體的電阻更低,其上電流通過的速度也更快。

除了這兩樣主要的材料之外,在晶片的設計過程中還需要一些種類的化學原料,它們起著不同的作用,這裡不再贅述。

cpu製造的準備階段

在必備原材料的採集工作完畢之後,這些原材料中的一部分需要進行一些預處理工作。而作為最主要的原料,矽的處理工作至關重要。首先,矽原料要進行化學提純,這一步驟使其達到可供半導體工業使用的原料級別。

而為了使這些矽原料能夠滿足積體電路製造的加工需要,還必須將其整形,這一步是通過溶化矽原料,然後將液態矽注入大型高溫石英容器而完成的。

而後,將原料進行高溫溶化。中學化學課上我們學到過,許多固體內部原子是晶體結構,矽也是如此。為了達到高效能處理器的要求,整塊矽原料必須高度純淨,及單晶矽。

然後從高溫容器中採用旋轉拉伸的方式將矽原料取出,此時一個圓柱體的矽錠就產生了。從目前所使用的工藝來看,矽錠圓形橫截面的直徑為200毫米。不過現在intel和其它一些公司已經開始使用300毫米直徑的矽錠了。

在保留矽錠的各種特性不變的情況下增加橫截面的面積是具有相當的難度的,不過只要企業肯投入大批資金來研究,還是可以實現的。intel為研製和生產300毫米矽錠而建立的工廠耗費了大約35億美元,新技術的成功使得intel可以製造複雜程度更高,功能更強大的積體電路晶片。而200毫米矽錠的工廠也耗費了15億美元。

下面就從矽錠的切片開始介紹cpu的製造過程。

單晶矽錠在製成矽錠並確保其是一個絕對的圓柱體之後,下一個步驟就是將這個圓柱體矽錠切片,切片越薄,用料越省,自然可以生產的處理器晶片就更多。切片還要鏡面精加工的處理來確保表面絕對光滑,之後檢查是否有扭曲或其它問題。這一步的質量檢驗尤為重要,它直接決定了成品cpu的質量。

新的切片中要摻入一些物質而使之成為真正的半導體材料,而後在其上刻劃代表著各種邏輯功能的電晶體電路。摻入的物質原子進入矽原子之間的空隙,彼此之間發生原子力的作用,從而使得矽原料具有半導體的特性。今天的半導體制造多選擇cmos工藝(互補型金氧半導體)。

其中互補一詞表示半導體中n型mos管和p型mos管之間的互動作用。而n和p在電子工藝中分別代表負極和正極。多數情況下,切片被摻入化學物質而形成p型襯底,在其上刻劃的邏輯電路要遵循nmos電路的特性來設計,這種型別的電晶體空間利用率更高也更加節能。

同時在多數情況下,必須儘量限制pmos型電晶體的出現,因為在製造過程的後期,需要將n型材料植入p型襯底當中,而這一過程會導致pmos管的形成。

在摻入化學物質的工作完成之後,標準的切片就完成了。然後將每一個切片放入高溫爐中加熱,通過控制加溫時間而使得切片表面生成一層二氧化矽膜。通過密切監測溫度,空氣成分和加溫時間,該二氧化矽層的厚度是可以控制的。

在intel的90奈米制造工藝中,門氧化物的寬度小到了驚人的 5個原子厚度。這一層閘電路也是電晶體閘電路的一部分,電晶體閘電路的作用是控制其間電子的流動,通過對門電壓的控制,電子的流動被嚴格控制,而不論輸入輸出埠電壓的大小。

準備工作的最後一道工序是在二氧化矽層上覆蓋一個感光層。這一層物質用於同一層中的其它控制應用。這層物質在乾燥時具有很好的感光效果,而且在光刻蝕過程結束之後,能夠通過化學方法將其溶解併除去。

光刻蝕這是目前的cpu製造過程當中工藝非常複雜的一個步驟,為什麼這麼說呢?光刻蝕過程就是使用一定波長的光在感光層中刻出相應的刻痕,由此改變該處材料的化學特性。這項技術對於所用光的波長要求極為嚴格,需要使用短波長的紫外線和大麴率的透鏡。

刻蝕過程還會受到晶圓上的汙點的影響。每一步刻蝕都是一個複雜而精細的過程。設計每一步過程的所需要的資料量都可以用10gb的單位來計量,而且製造每塊處理器所需要的刻蝕步驟都超過20步(每一步進行一層刻蝕)。

而且每一層刻蝕的圖紙如果放大許多倍的話,可以和整個紐約市外加郊區範圍的地圖相比,甚至還要複雜,試想一下,把整個紐約地圖縮小到實際面積大小隻有 100個平方毫米的晶片上,那麼這個晶片的結構有多麼複雜,可想而知了吧。

當這些刻蝕工作全部完成之後,晶圓被翻轉過來。短波長光線透過石英模板上鏤空的刻痕照射到晶圓的感光層上,然後撤掉光線和模板。通過化學方法除去暴露在外邊的感光層物質,而二氧化矽馬上在陋空位置的下方生成。

摻雜在殘留的感光層物質被去除之後,剩下的就是充滿的溝壑的二氧化矽層以及暴露出來的在該層下方的矽層。這一步之後,另一個二氧化矽層製作完成。然後,加入另一個帶有感光層的多晶矽層。

多晶矽是閘電路的另一種型別。由於此處使用到了金屬原料(因此稱作金氧半導體),多晶矽允許在電晶體佇列埠電壓起作用之前建立閘電路。感光層同時還要被短波長光線透過掩模刻蝕。

再經過一部刻蝕,所需的全部閘電路就已經基本成型了。然後,要對暴露在外的矽層通過化學方式進行離子轟擊,此處的目的是生成n溝道或p溝道。這個摻雜過程建立了全部的電晶體及彼此間的電路連線,沒個電晶體都有輸入端和輸出端,兩端之間被稱作埠。

重複這一過程

從這一步起,你將持續新增層級,加入一個二氧化矽層,然後光刻一次。重複這些步驟,然後就出現了一個多層立體架構,這就是你目前使用的處理器的萌芽狀態了。在每層之間採用金屬塗膜的技術進行層間的導電連線。

今天的p4處理器採用了7層金屬連線,而 athlon64使用了9層,所使用的層數取決於最初的版圖設計,並不直接代表著最終產品的效能差異。

接下來的幾個星期就需要對晶圓進行一關接一關的測試,包括檢測晶圓的電學特性,看是否有邏輯錯誤,如果有,是在哪一層出現的等等。而後,晶圓上每一個出現問題的晶片單元將被單獨測試來確定該晶片有否特殊加工需要。

而後,整片的晶圓被切割成一個個獨立的處理器晶片單元。在最初測試中,那些檢測不合格的單元將被遺棄。這些被切割下來的晶片單元將被採用某種方式進行封裝,這樣它就可以順利的插入某種介面規格的主機板了。

大多數intel和amd的處理器都會被覆蓋一個散熱層。在處理器成品完成之後,還要進行全方位的晶片功能檢測。這一部會產生不同等級的產品,一些晶片的執行頻率相對較高,於是打上高頻率產品的名稱和編號,而那些執行頻率相對較低的晶片則加以改造,打上其它的低頻率型號。

這就是不同市場定位的處理器。而還有一些處理器可能在晶片功能上有一些不足之處。比如它在快取功能上有缺陷(這種缺陷足以導致絕大多數的 cpu癱瘓),那麼它們就會被遮蔽掉一些快取容量,降低了效能,當然也就降低了產品的售價,這就是celeron和sempron的由來。

在cpu的包裝過程完成之後,許多產品還要再進行一次測試來確保先前的製作過程無一疏漏,且產品完全遵照規格所述,沒有偏差

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